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电子元器件详细资料 » IC[20413] » IXSQ10N60B2D1
型号:IXSQ10N60B2D1类别:IGBT - 单路制造商:IXYS
封装:TO-3P-3,SC-65-3描述:IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO-3P

详细参数

类别IGBT - 单路
描述IGBT HS W/DIODE 600V 20A TO-3P
系列-
制造商IXYS
IGBT类型PT
电压_集电极发射极击穿111最大222600V
VgewwwwIc时的最大Vce111开2222.5V @ 15V,10A
电流_集电极(Ic)111最大22220A
功率_最大100W
输入类型标准
安装类型通孔
封装/外壳TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装TO-3P
包装散装

供应商

北京首天伟业科技有限公司刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
上海金庆电子技术有限公司张先生/陈小姐086-021-51872165/51872153
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
中科航芯(深圳)科技有限公司李18927479189
深圳市宏捷佳电子科技有限公司李先生,夏小姐0755-22669259 83214703
北京显周科技有限公司刘先生13910052844(微信同步)
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